多晶磷化铟锭(InP)

化合物半导体基础原料,12.5/25吨每年

多晶磷化铟锭(InP)

产品介绍

多晶磷化铟(InP)锭由大量磷化铟小晶粒组成,是生产单晶磷化铟的核心基础原料,纯度达严苛电子级标准,直接决定下游光电子器件性能上限。聚焦规模化生产,一期产能12.5吨/年、二期25吨/年,应用于高速光模块、激光雷达与红外探测,是AI算力驱动的战略风口材料。

技术参数

暂无技术参数数据

液态金属

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